Полупроводниковый излучатель ИЛПИ-135А
Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-135А импульсного режима работы включает решетку AlGaAs/GaAs лазерных диодов, изготовленных по технологии MOCVD, корпус и крышку со стеклянным окном. Прибор предназначен для использования в качестве источника излучения в осветителях, дальномерах и медицинских приборах.
Технические характеристики (при Т=25 °C и площади радиатора 100 см2)
| Параметр, единицы измерения | Минимум | Номинал | Максимум |
|---|---|---|---|
| Средняя мощность импульса излучения, Вт | 120 | 140 | |
| Длина волны излучения, нм | 840 | 850 | 870 |
| Амплитуда импульса тока накачки, А | 40 | 50 | |
| Длительность импульса тока накачки по уровню 0,5, нс | 40 | 100 | 150 |
| Рабочее напряжение на излучателе, В | 60 | ||
| Частота повторения импульсов, Гц | 10 000 | 20 000 | |
| Габариты тела свечения, мм | 0,36 x 0,5 | ||
| Расходимость излучения в плоскости, градусов: | |||
| параллельной плоскости p-n-перехода | 10 | ||
| перпендикулярной плоскости p-n-перехода | 25 | ||
| Ширина спектра по уровню 0,5, нм | 3 | ||
| Несоосность тела свечения и корпуса, мм | 0,5 |
Справочные параметры
- Мощность измеряется в полном угле (конус с углом при вершине не менее 74°)
- Температурный дрейф длины волны излучения - не более 0,3 нм/°C
- Рабочая температура корпуса – минус 55...+70 °C
- Минимальная наработка – 109 импульсов
- Конкретное значение тока накачки указывается в паспорте или этикетке
