Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ–527


Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ–527. Фото 1

Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ-527 (ЖГДК.433755.060-03) импульсного режима работы (далее - МПЛ) предназначен для работы в составе герметизированной аппаратуры.

Длинная сторона излучающей площадки МПЛ располагается параллельно длинной стороне контактной пластины 2.

Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ–527 (ЖГДК.433755.060–03) импульсного режима работы
1 - изолятор (минус питания МПЛ); 2 - контактная пластина (плюс питания МПЛ)

Основные технические данные

Параметры излучения и электрические параметры при приемке и поставке при нормальных климатических условиях по ГОСТ 20.57.406-81 приведены в таблице.

Наименование параметра, единица измерения Норма ТУ, не менее Норма ТУ, не более
Длина волны лазерного излучения, нм 1540 1560
Мощность импульса лазерного излучения, Вт 100 110
Длительность импульса излучения по уровню 0,5, нс 90 110
Частота повторения импульсов тока накачки, кГц 5 5
Масса излучателя, г 5
Размер излучающей площадки, мм 1 х 1
Предельно допустимое значение средней мощности импульса лазерного излучения при НКУ, Вт 110...115 110...115
Средняя мощность импульса лазерного излучения во всех условиях эксплуатации, Вт 90

Значения характеристик при воздействии механических и климатических факторов

МПЛ является стойким к внешним воздействующим факторам, соответствующих группе унифицированного исполнения 1У по ГОСТ РВ 20.39.414.1–97 с уточнениями, приведенными в таблице.

Наименование и характеристики внешнего воздействующего фактора, единицы измерения Значение
Синусоидальная вибрация:
диапазон частот, Гц 10...500
пиковое ударное ускорение, м/с2 (g) 49 (5)
Акустический шум:
диапазон частот, Гц 50...10 000
уровень звукового давления, дБ 130
Механический удар одиночного действия:
пиковое ударное ускорение, м/с2 (g) 980 (100)
длительность действия ударного ускорения, мс 1...5
количество одиночных ударов по каждой оси 20
Механический удар многократного действия:
пиковое ударное ускорение, м/с2 (g) 245 (25)
длительность действия ударного ускорения, мс 5...15
количество одиночных ударов по каждой оси 1000
Повышенная температура среды:
рабочая, °С 40
предельная, °С 50
Изменение температуры окружающей среды:
диапазон изменения температуры, °С от -50 до 50
количество циклов 3
продолжительность цикла, ч 1

МПЛ должен быть стойким к воздействию специальных факторов (СФ) 7.И1, 7.И6, 7.И7, соответствующих группе 1УC ГОСТ РВ.20.39.414.2–98. Требования стойкости к воздействию СФ 7.И с другими характеристиками, а также к воздействию факторов 7.С и 7.К не предъявляются.

В составе герметизированной аппаратуры заказчика в режимах и условиях, допускаемых ЖГДК.433755.060–03 ТУ, гамма–процентная наработка до отказа МПЛ Nγ при γ=90% составляет не менее 1010 импульсов в пределах срока службы 20 лет.

Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ–527 (ЖГДК.433755.060–03) импульсного режима работы
Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ–527 (ЖГДК.433755.060–03) импульсного режима работы
Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ–527 (ЖГДК.433755.060–03) импульсного режима работы. Распределения излучения в ближнем поле решетки лазерных диодов
Распределения излучения в ближнем поле решетки лазерных диодов
Модуль полупроводникового лазера 43ДЛ–527 (ЖГДК.433755.060–03) импульсного режима работы. Спектр излучения решетки лазерных диодов
Спектр излучения решетки лазерных диодов

Контактная информация отдела продаж

Телефон: +7 905 737-72-58
E-mail: market@niipolyus.ru

РФ, 117342, г. Москва,
ул. Введенского, д. 3, корп. 1