Полупроводниковый излучатель ИЛПИ-143
Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-143 импульсного режима работы включает решетку AlGaAs/GaAs лазерных диодов, изготовленных по технологии MOCVD, корпус и крышку со стеклянным окном. Прибор предназначен для использования в качестве источника излучения в осветителях, дальномерах и медицинских приборах.
Технические характеристики (при Т=25 °C и площади радиатора 100 см2)
| Параметр, единицы измерения | Минимум | Номинал | Максимум |
|---|---|---|---|
| Средняя мощность импульса излучения, Вт | 500 | 600 | |
| Длина волны излучения, нм | 840 | 860 | 880 |
| Амплитуда импульса тока накачки, А | 65 | 85 | |
| Длительность импульса тока накачки по уровню 0,5, нс | 70 | 100 | 120 |
| Рабочее напряжение на излучателе, В | 95 | ||
| Частота повторения импульсов, Гц | 5 000 | 10 000 | |
| Габариты тела свечения, мм | 1,3 x 1,4 | ||
| Расходимость излучения в плоскости, градусов: | |||
| параллельной плоскости p-n-перехода | 12 | ||
| перпендикулярной плоскости p-n-перехода | 30 | ||
| Ширина спектра по уровню 0,5, нм | 5 |
Справочные параметры
- Мощность измеряется в полном угле (конус с углом при вершине не менее 74°)
- Температурный дрейф длины волны излучения - не более 0,3 нм/°C
- Рабочая температура корпуса – минус 50...+50 °C
- Минимальная наработка – 109 импульсов
- Конкретное значение тока накачки указывается в паспорте или этикетке
