Полупроводниковый излучатель ИЛПИ-135А


Полупроводниковый излучатель ИЛПИ-135А. Фото 1

Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-135А импульсного режима работы включает решетку AlGaAs/GaAs лазерных диодов, изготовленных по технологии MOCVD, корпус и крышку со стеклянным окном. Прибор предназначен для использования в качестве источника излучения в осветителях, дальномерах и медицинских приборах.

Технические характеристики (при Т=25 °C и площади радиатора 100 см2)

Параметр, единицы измерения Минимум Номинал Максимум
Средняя мощность импульса излучения, Вт 120 140
Длина волны излучения, нм 840 850 870
Амплитуда импульса тока накачки, А 40 50
Длительность импульса тока накачки по уровню 0,5, нс 40 100 150
Рабочее напряжение на излучателе, В 60
Частота повторения импульсов, Гц 10 000 20 000
Габариты тела свечения, мм 0,36 x 0,5
Расходимость излучения в плоскости, градусов:
параллельной плоскости p-n-перехода 10
перпендикулярной плоскости p-n-перехода 25
Ширина спектра по уровню 0,5, нм 3
Несоосность тела свечения и корпуса, мм 0,5

Справочные параметры

  • Мощность измеряется в полном угле (конус с углом при вершине не менее 74°)
  • Температурный дрейф длины волны излучения - не более 0,3 нм/°C
  • Рабочая температура корпуса – минус 55...+70 °C
  • Минимальная наработка – 109 импульсов
  • Конкретное значение тока накачки указывается в паспорте или этикетке
ИЛПИ-135А Расходимость излучения в плоскости перпендикулярной плоскости P-N перехода
Расходимость излучения в плоскости перпендикулярной плоскости P-N перехода
ИЛПИ-135А Типовая ватт-амперная характеристика излучателя
Типовая ватт-амперная характеристика излучателя
ИЛПИ-135А Габаритные размеры и электрическая схема
Габаритные размеры и электрическая схема

Контактная информация отдела продаж

Телефон: +7 905 737-72-58
E-mail: market@niipolyus.ru

РФ, 117342, г. Москва,
ул. Введенского, д. 3, корп. 1